Elekto de idealolaserfonto: rando emisio duonkondukta lasero
1. Enkonduko
Semikondukta laseroblatoj estas dividitaj en rando elsendantaj laseraj blatoj (EEL) kaj vertikala kava surfaco elsendanta laseraj blatoj (VCSEL) laŭ la malsamaj fabrikaj procezoj de resonatoroj, kaj iliaj specifaj strukturaj diferencoj estas montritaj en Figuro 1. Kompare kun vertikala kava surfaco elsenda lasero, rando. elsendante semikonduktaĵo lasero teknologio disvolviĝo estas pli matura, kun larĝa ondolongo gamo, altaelektro-optikakonverta efikeco, granda potenco kaj aliaj avantaĝoj, tre taŭga por lasera prilaborado, optika komunikado kaj aliaj kampoj.Nuntempe, rand-elsendantaj semikonduktaĵaj laseroj estas grava parto de la optoelektronika industrio, kaj iliaj aplikoj kovris industrion, telekomunikadojn, sciencon, konsumantojn, militistaron kaj aerospacon.Kun la disvolviĝo kaj progreso de teknologio, la potenco, fidindeco kaj energikonverta efikeco de rand-elsendantaj semikonduktaĵaj laseroj multe pliboniĝis, kaj iliaj aplikaj perspektivoj estas pli kaj pli ampleksaj.
Poste, mi kondukos vin plie aprezi la unikan ĉarmon de flanka elsendosemikonduktaĵaj laseroj.
Figuro 1 (maldekstre) flanko elsendante duonkonduktaĵo-laseron kaj (dekstre) vertikala kava surfaco elsendanta lasera strukturo diagramo
2. Laboranta principo de rando emisio duonkonduktaĵolasero
La strukturo de rand-elsenda semikonduktaĵo lasero povas esti dividita en la jenajn tri partojn: duonkonduktaĵo aktiva regiono, pumpilfonto kaj optika resonator.Malsama al la resonatoroj de vertikalaj kavaj surfac-elsendantaj laseroj (kiuj estas kunmetitaj de supraj kaj malsupraj Bragg-speguloj), la resonatoroj en rand-elsendantaj semikonduktaĵaj laseraj aparatoj estas plejparte kunmetitaj de optikaj filmoj ambaŭflanke.La tipa EEL-aparatstrukturo kaj resonatorstrukturo estas montritaj en Figuro 2. La fotono en la rand-emisio duonkondukta lasera aparato estas plifortigita per reĝimselektado en la resonatoro, kaj la lasero estas formita en la direkto paralela al la substratsurfaco.Rando-elsendantaj duonkonduktaĵaj laseraj aparatoj havas larĝan gamon de operaciaj ondolongoj kaj taŭgas por multaj praktikaj aplikoj, do ili fariĝas unu el la idealaj laserfontoj.
La agado-taksaj indeksoj de rand-elsendantaj semikonduktaĵaj laseroj ankaŭ estas kongruaj kun aliaj semikonduktaĵaj laseroj, inkluzive de: (1) lasera lasera ondolongo;(2) Sojla fluo Ith, tio estas, la fluo ĉe kiu la lasera diodo komencas generi laseran osciladon;(3) Labora fluo Iop, tio estas, la veturanta kurento kiam la lasera diodo atingas la taksitan eligan potencon, ĉi tiu parametro estas aplikata al la dezajno kaj modulado de la lasera stirado de cirkvito;(4) Deklivo efikeco;(5) Vertikala diverĝo Angulo θ⊥;(6) Horizontala diverĝo Angulo θ∥;(7) Monitoru la nunan Im, tio estas, la nunan grandecon de la duonkondukta lasera blato ĉe la taksita eliga potenco.
3. Esplora progreso de GaAs kaj GaN bazigis rando elsendantaj semikonduktaĵajn laserojn
La semikonduktaĵa lasero bazita sur GaAs semikonduktaĵmaterialo estas unu el la plej maturaj semikonduktaĵaj laserteknologioj.Nuntempe, GAAS-bazitaj preskaŭ-infraruĝaj bendo (760-1060 nm) rand-elsendantaj semikonduktaĵlaseroj estis vaste uzitaj komerce.Kiel la triageneracia semikondukta materialo post Si kaj GaAs, GaN estis vaste koncernita en scienca esplorado kaj industrio pro siaj bonegaj fizikaj kaj kemiaj trajtoj.Kun la evoluo de GAN-bazitaj optoelektronikaj aparatoj kaj la klopodoj de esploristoj, GAN-bazitaj lum-elsendantaj diodoj kaj rand-elsendantaj laseroj estis industriigitaj.
Afiŝtempo: Jan-16-2024